作為一種寬禁帶材料，碳化硅（SiC）由于其寬帶隙、高機械強度和高導熱性，被認為是電子工業(yè)中硅（Si）基半導體的替代材料。例如，SiC功率器件可以在更高的電壓、頻率和溫度下工作，而且能夠以更高的效率或更低的功率損耗來(lái)轉換電力。與此同時(shí)，碳化硅是一種非常硬和脆的材料（莫氏硬度達9.2），這就造成了工藝加工的難題。特別是在晶圓減薄和晶圓劃切過(guò)程中更是如此。

金剛石劃片刀是目前切割SiC晶圓的常用技術(shù)。晶圓固定在UV膜上，通過(guò)高速旋轉的金剛石電鍍刀片來(lái)進(jìn)行切割。切割道的寬度通常在50到 100 微米的范圍內。由于SiC的硬度，刀片切割的切割速度較低，而且切割刀片的磨損較高，切割難度大。所以采用金剛石劃片刀進(jìn)行切割需要分兩刀，先開(kāi)槽后切斷，實(shí)現正面背面崩缺最小。且在一定程度上提升切割效率。另外，配合超聲波刀片可以更高效切割。

除此以外，就是激光切割，需要用刀劃片機以外的設備。