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從沙子到成品，一個(gè)芯片要經(jīng)歷三次被切割。

第一次切割是將硅錠切成硅片。

目前常規的切割方法主要有內圓切割和多線(xiàn)切割。內圓切割是利用內圓刃口邊切割硅錠，但由于刀片高度旋轉會(huì )產(chǎn)生軸向震動(dòng)，刀片與硅片的摩擦力不斷增加，可能會(huì )在硅錠上殘留一些切痕甚至細小的裂隙。這樣一來(lái)，切割結束后可能就發(fā)生硅片崩片甚至飛邊的現象。

多線(xiàn)切割技術(shù)是當前進(jìn)行硅片切割的主流技術(shù)。在多線(xiàn)切割機中，導輪的動(dòng)力來(lái)源于發(fā)電機，其旋轉可以有效的保障鋼絲切割線(xiàn)的高速運行。切割線(xiàn)在導輪的帶動(dòng)下速度可達10m/s-20m/s。金剛線(xiàn)切割技術(shù)是未來(lái)相當長(cháng)一段時(shí)間內主流的硅片切割技術(shù)。

第二次是將千錘百煉的晶圓片劃切成極小的晶粒。

晶圓劃片目前主要采用金剛石劃片刀進(jìn)行。早期，6英寸以下的晶圓大部分都使用了劃片再掰開(kāi)的切割法，現在則進(jìn)行一次性切割，確保晶圓不受損壞。同時(shí)也有先切割、后減薄的切割方法。不管是哪種切割工藝，都需要用刀劃片機和金剛石刀片。

除此以外，還有激光切割法，適用于晶圓厚度為100μm以下的晶圓。

第三次則是初級封裝后進(jìn)行分切，留待后用，或再進(jìn)行多級封裝，或進(jìn)行入產(chǎn)品應用流程。到此，芯片才能算作一個(gè)成品，能真正發(fā)揮他奇妙的作用。