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砷化鎵(GaAs)是國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線(xiàn)性度良好等優(yōu)越特性，作為第二代半導體材料中價(jià)格昂貴的一種，被冠以“半導體貴族”之稱(chēng)，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。

砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過(guò)程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現象，使芯片的晶體內部產(chǎn)生應力損傷,導致產(chǎn)品失效和使用性能降低。

用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點(diǎn)，可用于生產(chǎn)二極管、場(chǎng)效應晶體管（FET）和集成電路（IC）等，主要應用于高端軍事電子、光纖通信系統、寬帶衛星無(wú)線(xiàn)通信系統、測試儀器、汽車(chē)電子、激光、照明等領(lǐng)域。

目前，基于砷化鎵襯底的led發(fā)光芯片在市場(chǎng)上有大量需求。

切割砷化鎵晶圓，通常采用輪轂型電鍍劃片刀，選刀不當極易造成晶片碎裂，導致成品率偏低。用極細粒度金剛石（4800#，5000#）規格的刀片，能有效減少晶片碎裂，但切割之前需要進(jìn)行修刀。